Welcome to High Power Devices and Circuits Group
一、具代表性之學理創新或應用技術突破
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碳化矽蕭基二極體的結構(半對稱陣列)，功能與缺陷的探討比國外研究成果詳盡。碳化矽金氧半場效電晶體(Double Trench Power Semiconductor Device and Fabrication Method)的崩潰電壓也跟國外研究成果相當。國內相關研究很少，無法比較。
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發展碳化矽的低溫氧化層生成技術，透過後續的高溫回火，可以降低氧化層的缺陷和介面捕捉缺陷，此期刊論文已經備下載超過483 次。
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碳表面碳化矽的磊晶成長技術: 藉由碳跟矽的比例、溫度、壓力，去影響到碳化矽層的濃度及缺陷密度。目前，此技術已能在碳表面碳化矽(4H-SiC)的磊晶中生成全世界最低的N 型濃度 (6x1014cm-3)。表面缺陷密度也比其他學者的低。
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利用KrF 分子雷射回火技術修復晶格缺陷，此技術在Al 離子佈值造成的損害特別有效。
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發展新的MPPT AND CHARGER 控制法則電路。節省成本、零件數， MPPT功率達98%。國內外相關研究很多，其成果與此不相上下。
二、產業發展績效
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與台灣聚積電子公司發展新的600V Super junction MOSFET 結構開發。有先期技術移轉給該公司。
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與台灣敦南半導體公司發展Double Trench Power Semiconductor Device 結構。2.
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與台灣元鴻電子公司發展新的MPPT AND LED DRIVER 控制法則。有技術移轉給該公司。
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與基益公司的“混合油電機車計畫”探討高功率的金氧半電晶體的可靠度。
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與春豆實業有限公司發展高電壓比直流/直流充電器。
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與艾迪馬電動車公司的“電動車檢修服務系統設備開發計畫”探討充電系統設備的效率。
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與台灣聚積電子公司發展新的MPPT AND CHARGER 控制法則。有技術移轉給該公司。
三、核准專利
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中華民國專利 (I520343): 雙溝槽式的功率半導體元件及其製造方法 (2016)
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中華民國專利 (I517517): 區域互助型電力系統 (2016)
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中華民國專利 (I387184): 昇壓型轉換裝置 (2013)
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中華民國專利 (I371675): 具有功率追蹤與電性曲線量測之太陽能發電裝置及其發電方法 (2012)
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US Patent (US20100282289A1): Solar Generator Capable of Power Tracking and Electric Characteristic Curve Measurement and Method for Realizing the Same(2011).
四、國內外之成就與榮譽
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2016 An editorial board member for the Mediterranean Journal of Physics
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2014 and 2015 IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) Technical program committee
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2014 and 2015 國際性共鳴獎被提名人 (由張善政副院長提名代表台灣參賽)
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2013 Taiwan Power Semiconductors Workshop
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2012 ARM Code-O-Rama 設計競賽初審委員5.
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2012 年台灣電力電子研討會議程主席
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2012 年台日電能轉換研討會議程主席
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九十八年度(2010)國科會工程處電力電子新進人員研究成果優選
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2010 年台灣電力電子研討會議程主席
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2010 年台灣風能學術研討會議程主席
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2010 年的台灣電力電子研討會優秀論文
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能源局太陽光電發電系統設置補助作業審查委員
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IEEE PEDS 2009 國際電力電子與驅動系統研討會議程主席
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第二十七屆電力工程研討會論文審查委員及議程主席
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第二十八屆電力工程研討會論文審查委員
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第二十九屆電力工程研討會論文審查委員
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第三十四屆電力工程研討會論文審查委員
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2007 年國際電機電子協會：固態電路與電子元件研討會籌備委員 (IEEE, International Conference on Electron Devices and Solid-state Circuits, EDSSC 2007)
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2007 年國際電機電子協會：固態電路與電子元件研討會(IEEE, EDSSC)論文審查委員
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2008 年的台灣電力電子研討會優秀論文
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IEEE 會員
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台灣電子材料與元件協會會員